افزایش طول عمر سوئیچ های خازنی rf mems
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق
- نویسنده مجید ضرغامی
- استاد راهنما خلیل مافی نژاد
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پایان نامه دو نوع سیگنال تحریک برای کاهش شارژ دی الکتریک سوئیچ های خازنی میکروالکترومکانیکی معرفی می شود. هر دو شکل موج پیشنهادی به گونه ای هستند تا میزان بار تزریقی منبع کاهش یابد. میزان بار به تله افتاده در دی الکتریک و سایر پارامترهای مرتبط برای شکل موج های پیشنهادی و شکل موج هایی که تا کنون معرفی شده به-صورت عددی و تحلیلی محاسبه می شوند. شکل موج سیگنال تحریک تاثیر بسزایی در زمان کلیدزنی دارد، از این رو با استفاده از روش المان محدود و توسط نرم افزار ansys زمان کلیدزنی برای تمام شکل موج ها محاسبه می شود. در هر دو روش پیشنهادی چگالی بار انباشتی کاهش خوبی داشته است، اما روش پیشنهادی دوم با عنوان پالس دوتایی شیب-دار از لحاظ چگالی بار انباشته شده و همچنین زمان کلیدزنی ارجحیت دارد
منابع مشابه
طراحی، شبیهسازی و ساخت سوئیچ خازنی RF MEMSبر روی بستر آلومینا
In this paper, design, analysis and fabrication of a low loss capacitive RF MEMS shunt switch, which made on the coplanar waveguide transmission line and alumina substrate in the frequency band of 40-60 GHz, is presented. The CPW is designed to have 50Ω impedance matching on the alumina substrate. Then the desired switch is designed with appropriate dimensions. Afterward the important par...
متن کاملطراحی و تحلیل سوئیچ rf mems با سرعت بالا
در ده سال اخیر ، سوئیچ های میکرو الکترومکانیکی ( mems ) به خاطر کاربردهای امید بخششان نظیر تلفات پایین ، خاصیت خطی بالا و توان مصرفی dc بسیار ناچیز طرفداران بسیاری پیدا کرده است اما این سوئیچ ها محدودیت هایی از قبیل ولتاژ تحریک بالا و سرعت سوئیچینگ پایین دارند. در این پژوهش سعی شده است تا ساختار جدیدی از سوئیچ rf mems ارائه شود که سرعت سوئیچینگ بالاتری نسبت به دیگر سوئیچ های mems از خود نشان بد...
طراحی، شبیه سازی و ساخت سوئیچ خازنی rf memsبر روی بستر آلومینا
در این مقاله طراحی، شبیهسازی و ساخت یک سوئیچ خازنی rf mems موازی کم تلف بروی موجبر همصفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس ghz 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر همصفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ω50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیهسازی المان محدود و موجی کامل با ن...
متن کاملآنالیز، طراحی، و ساخت سوئیچ rf-mems با استفاده از روش عددی ماتریس خط انتقال طراحی و ساخت سوئیچ rf-mems جدید
چکیده ندارد.
15 صفحه اولRF MEMS Switches
An overview of the MEMS technology development and applications is given in this paper. A special attention is paid to the RF MEMS switches. Both series and shunt MEMS switches have been considered. It is also presented a technique for modeling and design of inductively-tuned MEMS shunt switch. Some very important issues for the device maturity e.g. reliability and packaging have been addressed.
متن کاملRF MEMS DPDT Switch
The paper explores the modelling and simulation of a Radio Frequency Micro Electro-Mechanical Systems (RF MEMS) switch with the use of a novel seesaw design providing Double-Pole Double-Throw (DPDT) functionality. This optimises the capabilities of the seesaw design structure for use in mobile communications systems and devices. After researching other available seesaw designs, it was realised ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023